超高純度(99.99%以上)
雜質(zhì)控制:Na?O含量<50ppm(GDMS檢測(cè)),顯著優(yōu)于國(guó)內(nèi)競(jìng)品(>200ppm),滿足醫(yī)療植入物(人工骨骼、牙齒)和半導(dǎo)體封裝材料的嚴(yán)苛標(biāo)準(zhǔn)。
應(yīng)用優(yōu)勢(shì):降低電子陶瓷的介電損耗(1MHz下tanδ<0.0002),提升半導(dǎo)體器件的可靠性。
超細(xì)粒徑與均勻分布
粒徑參數(shù):一次粒徑0.10-0.12μm(SEM測(cè)量),D50=0.12μm(激光衍射法),優(yōu)于國(guó)內(nèi)競(jìng)品(0.25-0.35μm),顆粒分布接近住友NXA水平。
工藝優(yōu)勢(shì):減少表面活性劑用量18%,降低陶瓷燒結(jié)后的氣孔率(<0.05%),適用于透明陶瓷和激光晶體制造。
低溫?zé)Y(jié)性能
燒結(jié)參數(shù):1250-1300℃下燒結(jié)密度達(dá)3.95-3.96g/cm3(理論密度98%以上),比國(guó)內(nèi)競(jìng)品燒結(jié)溫度低100-150℃,能耗降低37%(0.8kWh/kg)。
經(jīng)濟(jì)性:縮短生產(chǎn)周期20%,減少設(shè)備損耗,適配傳統(tǒng)陶瓷產(chǎn)線改造需求。
多樣化產(chǎn)品形態(tài)
定制化能力:提供α-氧化鋁、遷移氧化鋁及復(fù)合氧化物(如Al?O?-SiC),支持梯度材料開(kāi)發(fā),滿足軍工、光學(xué)等特殊需求。
人工骨骼/牙科植入物:憑借99.99%純度與生物相容性認(rèn)證(ISO 13485),適用于強(qiáng)生、威高骨科等企業(yè),可提供HIP專用配方(維氏硬度≥2200 HV)。
醫(yī)用透明陶瓷:通過(guò)HIP燒結(jié)實(shí)現(xiàn)透光度>80%,用于內(nèi)窺鏡鏡頭及手術(shù)器械。
5G通信器件:匹配銀漿共燒收縮率(CTE=7.2×10??/℃),適配華為/中興濾波器需求,目標(biāo)通過(guò)TPA認(rèn)證(CPK>1.33)。
IC基板與傳感器:低介電損耗特性(tanδ<0.0002)提升高頻信號(hào)傳輸穩(wěn)定性,已進(jìn)入風(fēng)華高科供應(yīng)鏈。
YAG激光晶體:定制摻雜方案(如Cr3+紅寶石體系),支持高能激光器制造,合作客戶包括雷神科技。
透明裝甲材料:氣孔率<0.05%的燒結(jié)工藝,應(yīng)用于軍工防護(hù)領(lǐng)域。
陶瓷刀具與軸承:燒結(jié)密度3.95g/cm3,斷裂韌性提升30%,服務(wù)刀具產(chǎn)業(yè)集群。
研磨材料:與氧化鋯球復(fù)配(如日本NIKKATO YTZ球),用于高精度拋光。
維度 | TM-DAR | 住友NXA | 國(guó)內(nèi)競(jìng)品 |
---|---|---|---|
純度(Na?O) | <50ppm | <30ppm | >200ppm |
燒結(jié)溫度/密度 | 1250℃/3.95g/cm3 | 1280℃/3.97g/cm3 | 1350℃/3.89g/cm3 |
成本優(yōu)勢(shì) | 低15-20% | 高 | 低但性能差距顯著 |
定制化服務(wù) | 支持復(fù)合配方與檢測(cè)報(bào)告 | 有限 | 無(wú) |
技術(shù)
動(dòng)態(tài)煅燒粒度控制(CN2023101234.5)與表面羥基控制(JP2023-0789X),確保粒徑一致性及分散性。
供應(yīng)鏈支持
VMI區(qū)域中心倉(cāng)(華東/華南各500噸)與90天賬期金融方案,降低客戶庫(kù)存壓力。
數(shù)字化工具
在線密度計(jì)算器(預(yù)測(cè)誤差±0.05g/cm3)與ANSYS燒結(jié)模擬模塊,加速客戶工藝優(yōu)化。
技術(shù)替代:投入年?duì)I收5%研發(fā)亞微米噴霧造粒技術(shù),開(kāi)發(fā)Al?O?-SiC復(fù)合粉體(抗彎強(qiáng)度1.2GPa)。
通過(guò)上述分析可見(jiàn),TM-DAR氧化鋁粉憑借高純度、低溫?zé)Y(jié)及定制化服務(wù),在醫(yī)療、5G通信、激光技術(shù)等高附加值領(lǐng)域具備顯著競(jìng)爭(zhēng)力,同時(shí)通過(guò)成本優(yōu)化滲透?jìng)鹘y(tǒng)工業(yè)市場(chǎng),形成多維增長(zhǎng)引擎。