日本napson非接觸渦流法薄層電阻測量裝置NC-10（NC-20）

產(chǎn)品特點(diǎn)

• 使用個人計(jì)算機(jī)節(jié)省空間，易于操作和數(shù)據(jù)處理
• 由于它是一種非接觸式渦流方法，因此可以進(jìn)行測量而不會損壞它。
• 由于探頭是可拆卸和可更換的，因此可以方便地用每個量程的探頭進(jìn)行替換。
• （*對第二個和后續(xù)電阻探頭的可選支持）
• 中心1點(diǎn)測量
• 厚度/溫度補(bǔ)償功能（硅晶片）

測量規(guī)格

測量目標(biāo)

半導(dǎo)體/太陽能電池材料相關(guān)（硅，多晶硅，SiC等）
 新材料/功能材料相關(guān)（碳納米管，DLC，石墨烯，銀納米線等）
 導(dǎo)電薄膜相關(guān)（金屬，ITO等）
 硅基外延，離子與
 半導(dǎo)體相關(guān)的進(jìn)樣樣品化合物（GaAs Epi，GaN Epi，InP，Ga等）
 其他（*請與我們聯(lián)xi）

測量尺寸

3-8英寸?156 x 156毫米
（可選; 2英寸或12英寸?210 x 210毫米）

日本napson非接觸渦流法薄層電阻測量裝置NC-10（NC-20）

測量范圍

[電阻] 1m至200Ω·cm
（*所有探頭類型的總范圍/厚度500um）
[板電阻] 10m至3kΩ / sq
（*所有探頭類型的總范圍）

*有關(guān)每種探頭類型的測量范圍，請參閱以下內(nèi)容。
（1）低：0.01至0.5Ω/□（0.001至
0.05Ω- cm）（2）中：0.5至10Ω/□（0.05至0.5Ω-cm）
（3 ））高：10至1000Ω/□（0.5至60Ω-??cm）
（4）S-高：1000至3000Ω/□（60至200Ω-cm）